TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    32 left arrow 53
    Wokół strony -66% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.8 left arrow 3
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    8.6 left arrow 1,590.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    17000 left arrow 6400
    Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    53 left arrow 32
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,726.4 left arrow 9.8
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,590.1 left arrow 8.6
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    522 left arrow 2271
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania