RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

総合得点
star star star star star
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB 考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 66
    周辺 62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.5 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.0
    テスト平均値
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 7.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2180 left arrow 1862

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB RAMの比較

Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB

SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較