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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
比較する
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
総合得点
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
総合得点
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
2
13.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
74
96
周辺 -30% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.7
1,336.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
96
74
読み出し速度、GB/s
2,725.2
13.6
書き込み速度、GB/秒
1,336.0
7.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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