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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Comparar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Pontuação geral
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Pontuação geral
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
74
96
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,336.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
96
74
Velocidade de leitura, GB/s
2,725.2
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,336.0
7.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
438
1616
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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