RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
66
Wokół strony -267% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.1
13.2
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
18
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.2
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2429
3529
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link