RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
66
Около -267% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
18
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2429
3529
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link