RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Comparar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33% maior largura de banda
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
18
66
Por volta de -267% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.4
13.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.1
13.2
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
66
18
Velocidade de leitura, GB/s
13.9
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
13.2
18.1
Largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2429
3529
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB Comparações de RAM
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KP223C-ELD 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link