RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
94
Wokół strony -327% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.4
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
12.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1886
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link