RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
90
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.5
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
90
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1546
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link