RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
90
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
90
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1546
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link