RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
77
90
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
2,622.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
90
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
1546
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link