RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2962
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link