RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
94
Около -309% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
23
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2962
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link