RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
94
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
56
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2200
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link