RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
94
Wokół strony -262% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
26
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
2594
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link