RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
94
Wokół strony -309% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
23
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3317
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link