RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
94
Intorno -309% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
23
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
3317
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Corsair CM3X4GBA1600C9V4 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link