RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
1660
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link