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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
44
Por volta de 39% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
8.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.8
5.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
21300
12800
Por volta de 1.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
44
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
8.5
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
5.6
Largura de banda de memória, mbps
12800
21300
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2181
1660
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
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