RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
27
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2181
2196
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Kingston 9905403-410.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link