RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Wynik ogólny
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.1
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
4.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
4.6
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1560
1254
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link