RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
36
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
36
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
2736
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link