RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
71
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2929
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link