RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Porównaj
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB vs Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wynik ogólny
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
14
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2330
3509
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston EBJ81UG8BBW0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link