RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
91
Wokół strony 77% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.0
4.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
91
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
1214
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link