RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Teclast TLD416G26A30 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Teclast TLD416G26A30 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
50
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
2719
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link