RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Teclast TLD416G26A30 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Teclast TLD416G26A30 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
50
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
13.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
2719
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link