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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Teclast TLD416G26A30 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Teclast TLD416G26A30 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teclast TLD416G26A30 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
50
Intorno -39% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
36
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2719
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Teclast TLD416G26A30 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KHX16 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
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