RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
30
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2771
2709
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1600G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link