RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
56
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2880
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9905701-029.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link