RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2553
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R744G2606U1S 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link