RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3273
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link