RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
52
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3179
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link