RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2358
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link