RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
66
Wokół strony -78% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
37
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2946
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link