RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
66
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3755
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link