RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
66
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2424
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link