RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
66
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3192
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link