RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3245
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link