A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    66 left arrow 122
    Wokół strony 46% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    9.4 left arrow 2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    5.8 left arrow 1,557.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    66 left arrow 122
  • Prędkość odczytu, GB/s
    2,775.5 left arrow 9.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,557.9 left arrow 5.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    382 left arrow 1411
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania