A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

总分
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    66 left arrow 122
    左右 46% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    9.4 left arrow 2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    5.8 left arrow 1,557.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    66 left arrow 122
  • 读取速度,GB/s
    2,775.5 left arrow 9.4
  • 写入速度,GB/s
    1,557.9 left arrow 5.8
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    382 left arrow 1411
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