Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

总分
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

总分
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    28 left arrow 43
    左右 35% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    11.7 left arrow 10.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    28 left arrow 43
  • 读取速度,GB/s
    11.7 left arrow 10.5
  • 写入速度,GB/s
    8.4 left arrow 6.8
  • 内存带宽,mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1578 left arrow 1682
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