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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

総合得点
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 43
    周辺 35% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 10.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
バグを報告する

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 10.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1578 left arrow 1682

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