Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Punteggio complessivo
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    28 left arrow 43
    Intorno 35% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    11.7 left arrow 10.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    28 left arrow 43
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 10.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1578 left arrow 1682
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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