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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Vergleichen Sie
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
43
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
28
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.7
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
10600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1578
1682
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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