Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB против Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 43
    Около 35% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    11.7 left arrow 10.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    28 left arrow 43
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.7 left arrow 10.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.4 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1578 left arrow 1682
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения