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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Note globale
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
43
Autour de 35% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
43
Vitesse de lecture, GB/s
11.7
10.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1578
1682
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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