Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Note globale
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Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

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Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    28 left arrow 43
    Autour de 35% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.7 left arrow 10.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latence dans PassMark, ns
    28 left arrow 43
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.7 left arrow 10.5
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 6.8
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1578 left arrow 1682
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons