RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
122
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
122
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1411
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link