RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2962
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link