RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3318
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link