RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
43
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
31
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
3318
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-8500C5D 2GB
Corsair VS2GB800D2 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link